Samsung 870 EVO - 2 TB 2.5-inch

Name: Samsung 870 EVO - 2 TB 2.5-inch
Brand: Samsung
SKU: 367309

Лучшее предложение

AED

1 499⁰⁰

AED

2 469⁰⁰

-39%

Ключевые характеристики

Случайное чтение (4KB): 98000IOPS
Случайная запись (4KB): 88000IOPS
Поддержка DevSlp (device sleep): Yes
Комплектующие для: PC/Laptop
Скорость передачи данных: 6Gbit/s
Поддержка S.M.A.R.T.: Yes
Потребление мощности (холостой ход): 0.035W
Среднее потребление энергии: 2.2W
Потребление мощности (чтение): 2.2W
NVMe: No
Объем SSD: 2000GB
форм-фактор тевродотельного диска: 2.5"
Поддержка TRIM: Yes
аппаратное шифрование: Yes
Тип памяти: V-NAND MLC

Характеристики

Свойства

Страна производства

Южная Корея

Среднее время наработки на отказ

1500000 h

Алгоритмы шифрования данных

256-bit AES

Подсветка

✗

Цвет товара

Черный

Скорость передачи данных

6 Gbit/s

Поддержка S.M.A.R.T.

✓

Потребление мощности (холостой ход)

0.04 W

Комплектующие для

PC/Laptop

Поддержка DevSlp (device sleep)

✓

Данные об упаковке

Тип упаковки

Box

Вес и размеры

Вес

86.20 g

Высота

69.90 mm

Глубина

6.90 mm

Ширина

100 mm

Энергопитание

Рабочее напряжение

5 V

Максимальное потребление энергии

3.50 W

Среднее потребление энергии

2.20 W

Потребление мощности (чтение)

2.20 W

Системные требования

Поддерживаемые операционные системы Mac

MacOS

Поддерживаемые операционные системы Windows

Windows 10, Windows 10 x64, Windows 7, Windows 7 x64, Windows 8, Windows 8 x64, Windows Vista, Windows XP

Поддерживаемые серверные операционные системы

Windows Server 2003, Windows Server 2003 x64

Прочие свойства

оценка суммарного числа записываемых байтов

2400

Устройства хранения данных

NVMe

✗

Объем SSD

2000 GB

форм-фактор тевродотельного диска

2.5"

Порты и интерфейсы

Интерфейс

Serial ATA III

Условия эксплуатации

Диапазон температур при эксплуатации

0 - 70 °C

Ударная нагрузка в рабочем режиме

1500 G

Безопасность

Поддержка TRIM

✓

аппаратное шифрование

✓

Логистические данные

Код гармонизированной системы описания (HS)

84717070

Твердотельный накопитель

Тип памяти

V-NAND MLC

Скорость считывания

560 MB/s

Скорость записи

530 MB/s

Случайная запись (4KB)

88000 IOPS

Случайное чтение (4KB)

98000 IOPS

Отзывы

Присоединяйтесь к нашей рассылке

Будьте первыми, кто узнает о новых поступлениях, скидках и эксклюзивных предложениях

Войдите, чтобы подписаться и не пропускать новости